美厂英特尔冲刺晶圆代工事业，目前已成为荷兰艾司摩尔（ASML）首台最新型“High-NA EUV”（高数值孔径极紫外光微影系统）的买家，预计2025年以这款设备生产先进制程芯片，台积电则按兵不动。分析师预计台积电可能要到2030年后才会采用这项技术，届时台积电如何保持制程技术领先地位，引发关注。

根据《Tom's Hardware》报道，英特尔已收到ASML第一台最新型高数值孔径EUV光刻机，英特尔在接下来几年，打算将此系统部署到18A后的节点（即1.8纳米制程），相比之下，台积电并不急于在短期内采用高数值孔径EUV，大陆华兴资本董事总经理吴思浩（SzeHo Ng）说，台积电可能需要数年时间才能在2030年或以后赶上这一潮流。

SemiAnalysis和华兴资本分析师指出，台积电暂时不会跟进采用这项技术，主因在于，使用高数值孔径EUV的成本，可能比使用Low-NAEUV还高，至少在初期是这样，尽管低成本的代价是生产复杂性和可能较低的晶体管密度。

报道提到，台积电2019年开始使用极紫外线 (EUV) 光刻工具大量生产芯片，比三星晚几个月，但比英特尔早几年，推测英特尔想透过高数值孔径EUV，领先于三星代工和台积电，这可以确保一些战术和战略利益。唯一的问题是，如果台积电在2030年或以后（即比英特尔晚四到五年），才开始采用高数值孔径光刻技术，是否还能维持制程技术的领先地位？

根据ASML介绍，最新型高数值孔径EUV光刻机的造价成本超过3亿美元，可以满足一线芯片制造商的需求，在未来十年内能够制造出更小、更好的芯片。

来源：中时新闻网