台积电为全球晶圆代工龙头，后头追兵三星、英特尔来势汹汹，其中三星多次公开喊话要在制程能力上超越台积电。日前三星高层再度表示，三星在美国的新厂有望在2024年生产4纳米芯片，领先台积电在亚利桑那州新厂的技术，未来也打算以更积极的方式追击台积电。

综合外媒报导，台积电美国厂量产时间延后1年至2025年，董事长刘德音坦言是受到美国缺乏熟练技术的工人所造成，此言引发美国工会不满，批评台积电是想借此引起低廉的外籍劳动力，彼此仍有待时间磨合。

相较之下，三星新厂似乎较为顺利，联合执行长Kyung Kye-hyun表示，有信心在2024年第四季量产4纳米芯片，速度会比台积电还要快，新厂也会成为三星在美国超越台积电的核心。

台积电美国厂第一期工程以5纳米为主，第二期工程推进至3纳米，但预估要等到2026年才会量产，目前3纳米主要生产基地是位在南科的台积18厂。

整体而言，台积电在制程技术与市占率持续领先三星，尤其在3纳米上，除了有大客户苹果包下首批产能之外，联发科、超威及高通等大厂也都在名单上，反观，三星的客户名单则较不明朗，外传可能与良率不如台积电有关。

来源：中时新闻网