不让韩国大厂三星专美于前，台积电在去年底宣布3纳米芯片量产，有半导体专家预估，台积电3纳米良率最高可超过80%，但韩媒则指出，其实台积电3纳米良率只有50%，并强调三星已经大幅提高3纳米制程的良率与产量，且良率“已达完美”(a perfect level)。

根据报导，三星2022年6月底宣布3纳米芯片正式投入量产，采用环绕闸极（GAA）架构，首家客户是中国的一家IC设计公司，不过市场猜测当时三星3纳米制程良率仅有约10%，导致其他客户兴趣缺缺。一位三星高层则指出，三星现阶段的3纳米制程良率已达到 “完美水准”，而且公司也立刻展开第二代3纳米芯片的研发行动。

台积电3纳米已经顺利进入量产，金融分析师Dan Nystedt先前在推特上表示，台积电3纳米良率与早期的5纳米相似，良率最高可达到80%；相比之下，三星3纳米良率只有10%~20%，且每片品质落差很大，但韩国市场人士并不相信，还直指这样的成绩是被夸大了。

报导引述韩国业界消息指出，传出的台积电良率数字太夸张，考量到台积电的量产以及出货给首个客户苹果的时程，预估良率最多只有50%。

报导更预估，在三星、台积电都进入3纳米制程后，未来3纳米制程将成为晶圆代工市场的主流，预计到2025年，3纳米制程市场的产值将高达255亿美元。

来源：中时电子报