台积电与三星在先进制程领域上激烈竞争。 （图/路透社）

三星与台积电都有望在今年量产3纳米芯片，但三星的速度可能快于台积电，近日韩媒披露，三星抢先将在下周公开宣布量产3纳米，至于外界关注的良率表现与订单状况，有分析师表示，良率提升速度远高于市场预期，新增客户的速度也相当快。

BusinessKorea、韩联社报导，三星3纳米制程跨进GAA技术，与传统鳍式场效应晶体管（FinFET）进行比较，不但减少芯片尺寸和功耗，还能提高芯片运算的性能，台积电3纳米仍采用FinFET技术，更先进的2纳米芯片才会使用GAA技术。

报导指出，三星有望在下周宣布量产3纳米，这也代表三星能展示超越台积电的技术，HMC投资证券研究中心主管Greg Roh则表示，据他所了解到的消息，三星3纳米制程提升良率的速度，远优于市场预期，且新增客户速度相当快。

BusinessKorea的报道也提到，有消息人士透露，已有三星客户下订3纳米产能。 三星也相信3纳米量产后，是三星达成世界第一半导体企业的重要动力。

另一方面，台积电的3纳米芯片则预计今年下半年量产，先前也传出已将掌握苹果、英特尔及其他重量级客户的订单，种种状况都突显三星与台积电在先进制程上的竞争更加激烈。

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